Diodo laser borboleta DFB de 1550nm 40mW

A Box Optronics possui a fábrica e suporta diodo laser borboleta DFB de 1550nm 40mW.
Comprimento de onda opcional: 1060nm ou outro
Potência de saída personalizada: 5mW ou outro
O diodo laser Box Optronics 1450nm 10mW SLED é um diodo laser de superluminescência. Sua potência de saída e eficiência de acoplamento são altas. Possui TEC e isolador integrados.

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Descrição do produto

1. Informações sobre pedidos

BFLD	-XXXX	-XX	XX	-XX	X
Tipo de laser	Comprimento de onda	Potência de saída	Tipo de fibra	Tipo de conector	PINAGEM
Laser DFB	1310: 1310 nm 1550: 1550 nm CWDM Outro	10: 10mW 20: 20mW 40: 40mW Personalizado	SM: modo único PM: Manutenção de polarização	FA: FC/APC SA: SC/APC Outro	NULO: Tipo 1

Fábrica própria, suporte personalizado.
Quente:Diodo laser borboleta DFB de 1550nm 40mW

2.Características do diodo laser borboleta 1550nm 40mW DFB

Alta potência de saída (10 ~ 100mW);
Pacote borboleta de 14 pinos padrão da indústria;
TEC integrado e isolador óptico;
Laser de feedback distribuído (DFB) de poço multiquântico (MQW) de alto desempenho;
Comprimentos de onda ITU disponíveis de 1270 nm a 1650 nm. Confiabilidade: Telcordia GR-468. RoHS.

3. Aplicações de diodo laser borboleta 1550nm 40mW DFB

Redes LAN, WAN e metropolitanas;
Sistemas C/DWDM;
Sensores de fibra óptica.

4.Características Eletro-Ópticas

Parâmetro	Símbolo	Doença	Min.	Tipo.	Máx.	Unidade
Comprimento de onda central	Î»c	TL = 15ï½35â CW	1548	1550	1552	nm
Potência de saída óptica	PO	TL = 15ï½35â CW	40	-	-	mW
Corrente limite	COM	-	-	25	40	mA
Eficiência de inclinação	ƞ	Potência de saída CW 40mW	0.10	0.20	0.4	mW/mA
Corrente operacional	Iop	PO= 40mW (CW)	-	300	-	mA
Largura de linha espectral	LW	FWHM	-	-	1	MHz
Tensão direta do laser	FV	Potência de saída CW 40mW	-	-	2.5	V
Monitore a corrente escura	EU IA	-	-	-	0.1	Î¼A
Largura de banda(@-3dB)	PN	-	-	2.5	-	GHz
Taxa de supressão de modo lateral	SMSR	CW	30	45	-	dB
Isolamento óptico	-	-10	30	35	-	dB
Razão de extinção de polarização	POR	-	20	-	-	dB
Ruído de intensidade relativa	RIN	20 - 1000 MHz	-	-160	-	dB
Temperatura definida TEC	Ts	-	20	-	35	℃
Impedância de entrada	ZIN	-	-	20	-	Ω
Corrente do termistor	TIC	-	10	-	100	Î¼A
Resistência do termistor	RTH	TL = 25â	9.5	10	10.5	KÎ©
Corrente TEC	ITEC	TL = 25â, TC = 70â	-	0.6	1.3	A
Tensão TÉCNICA	VTEC	TL = 25â, TC = 70â	-	1.3	1.7	V
Capacidade TEC	ÎT	Tc = 70â	-	-	50	℃
Temperatura do termistor	-	-	-	-	100	℃
Desvio de comprimento de onda (EOL)	â³Î»	Testado ao longo de 25 anos de vida	-	-	±0,1	nm
Aceno. deriva com temperatura do caso	ÎÎ»/ÎT	0â	-	-	0.001	nm/â
Aceno. capacidade de ajuste de temperatura	ÎÎ»/ÎÎ	20€	0.07	-	0.12	nm/mA

5. Envio

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Durar:Diodo laser TRENÓ de 1450nm 10mW
Próximo:1550nm mais que 8dBm SM SOA

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