Diodo laser borboleta DFB de 1030nm 50mW

A Box Optronics possui a fábrica e suporta diodo laser borboleta DFB de 1030nm 50mW.
O módulo laser de 1030 nm da série BFLD-1030-50SM-FA utiliza uma construção plana com chip na subportadora. O chip de alta potência é hermeticamente selado em um pacote borboleta de 14 pinos sem epóxi e sem fluxo e equipado com um termistor, resfriador termoelétrico e diodo de monitor. Este módulo está em conformidade com o requisito Telcordia GR-468-CORE.

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Descrição do produto

Fábrica própria, suporte personalizado.
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2.Características do diodo laser borboleta 1030nm 50mW DFB

Lasers de feedback distribuído (DFB) de poço multiquântico (MQW);
Operação CW ou pulsada;
Faixa de temperatura operacional -40°C a 50°C;
Comprimento de onda/coeficiente de temperatura 0,01 nm/â;
Fotodiodo de monitor integrado, refrigerador termoelétrico e termistor;
Pigtail de fibra monomodo (Corning HI1060, NA=0,14, MFD=6,2um@1060nm);
Conector FC/APC opcional.

3. Aplicações de diodo laser borboleta 1030nm 50mW DFB

Espectroscopia;
Telecomunicações;
Iluminação;
Sentindo.

4.Características Eletro-Ópticas

Parâmetro	Símbolo	Mínimo	Típico	Máx.	Unidade
Potência de saída do pigtail	PF	-	50		mW
Faixa de comprimentos de onda disponíveis	IC	1028		1032	nm
Largura espectral (FWHM)				3	MHz
Taxa de supressão de modo lateral em Pf	SMSR	40	45		dB
Mudança de comprimento de onda com corrente			3	5	pm/mA
Mudança de comprimento de onda com temperatura			0.08	0.1	nm/â
Corrente operacional	PIO		200	300	mA
Corrente limite	COM		30	50	mA
Tensão direta	FV		2	2.3	V
Razão de extinção de polarização	POR	15	20		dB
Corrente do resfriador termoelétrico	ITEC			3	A
Tensão do resfriador termoelétrico	VTEC			4	V
Faixa de temperatura operacional do chip	PRINCIPAL	15	25	40	℃
Faixa de temperatura operacional da caixa	TC	10	25	50	℃
Temperatura de armazenamento	TS	5		80	℃

5. Envio

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Durar:diodo laser da bomba da manutenção programada de 980nm 500mW
Próximo:Módulo de fonte luminosa de banda larga TRENÓ de 1060nm 15mW

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